新一代阵列式红外技术吹响市场变革号角

 　　红外灯总体分类：

　　1、常规普通LED

　　单芯片LED生产工艺简单，品质容易保证、发热量低、发光光学系统合理，是做红外灯理想的器件，理论上使用寿命可达10万小时以上。

　　2、多芯片LED（早期的阵列红外灯）

　　多芯片LED也有两种形式，一种是包含4到8颗芯片；另外一种是阵列式发光片，含有10到30颗芯片。为什么做多芯片呢？一些来自厂家的理论是：红外灯照射距离不够是因为能量不够，更多的芯片集合在一起，当然能量就大，想当然地认为照射距离更远。固然，更远的距离需要更大的能量。

　　多芯片小LED（阵列）因其结构上的固有缺点没有发光焦点，发光光学系统不合理，有用光效率也比较低，其优点没有有效地发挥出来。同时，多芯片LED的生产要求非常严格，每颗芯片都不能有性能上的一点差异，否则就会形成薄弱点，一颗芯片坏掉就会扩散到整机。总体而言，相对于单芯片LED而言，多芯片LED的寿命是远远不够的。尤其是散热是关键。多芯片大功率的情况也是相同的，热量更大，工作环境更严酷。

　　3、最新一代阵列红外灯（EPLED）

　　采用电光转换率目前世界上最高的LED芯片,灯芯与基座采用双金线串联,单颗灯亮度相当于普通大功率红外灯的3-4倍;发热量比普通大功率红灯低30%以上,从而保证了红外灯寿命更长;网状式的灯芯,发光更均匀,无手电筒效应;配合红外专用透镜,照射角度方便可调,实现远中近的照射要求；同时配合本公司自主设计的LED恒流驱动电路,高速散热系统,使得红外灯的工作寿命是传统LED的5至10倍。

　　最新一代阵列红外灯（EPLED）同早期阵列红外灯对比

　　1、结构对比

　　最新一代陈列红外灯

　　1.芯片粘接采用高导热材料,导热系数20W/MK。

　　2.热沉采用红铜制成,导热系数384W/MK。

　　3.整个热沉呈梯状结构放大,热传递路径更顺畅。

　　4.电光转换效率高，辐射强度高，发热量小。采用硅胶封装，耐高温及黄变，抗老化，寿命长。

　　5.采用优质结构封装，更好的搭配各种角度二次光学透镜，结构简单，使用方便。

　　普通阵列红外灯

　　1.芯片粘接采用普通导热材料，导热系数2W/MK。

　　2.热沉采用普通铜箔制成，导热系数2.5W/MK。

　　3.采用多颗芯片串并结合连接，由于芯片存在电压差，电流分布不均衡。同时阵列分布的红外灯，如果有一颗芯片坏了，整个灯就不能工作，出错率高。

　　4.电光转换效率一般，辐射强度一般，发热量大。采用树脂封装，耐一般高温，易黄变。寿命一般。

　　5.采用常规阵列式封装，搭配反光杯及透镜使用，角度单一，结构复杂。